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是一种半导体器件，它利用电场效应来控制带负电荷的电子和空穴。这种装置具有低功耗、高速度和高输入阻抗等优点,被广泛应用于各种电子产品中作为开关或放大器使用.在制作工艺上平面MOS管采用了非晶硅基层加上二氧化璃外层的结构形式制成栅极电极后经光刻蚀并在其表面涂以防止氧化而形成的产品。它的主要参数有:夹断电压VDS（或者称其为开启电压VGS(th)）、直流击穿电压VB、漏源电流IDS以及通态电阻Rds(on)。

Trench mos介绍

Trenchmos是一种半导体器件，通常用于电子设备中。它的工作原理是基于MOS（金属-氧化物semiconductor）结构中的电场效应效应来控制电流的流动方向和大小变化的过程。在trenchedMOSFET的结构设计中,栅极与源、漏电极被沟槽所分隔.当有反向电压加到该元件上时则呈现高阻抗特性(offstate),而当正向偏压施加的电源经由P型区域流入N+区而产生导通现象.在这种状态下可以允许较多的载流子通过并进而达到较高的输出功率以及效率等优点.

Collmos图片

Collmos，是一个源于拉丁语词根的词语。其意为“群舞”，这也许就是瑞士阿尔卑斯山区山村合唱团为的地方之一了。“每一个音符都在一起呼吸”是Collmo的标志性特征和魅力所在——不论在高声部还是低声部的演唱者都必须配合整体效果而唱出和谐统一的旋律来才能体现它的演绎与表现力之强！