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钨铜主要性能要求是耐电弧烧蚀、抗熔焊、截止电流小、含气量少、热电子发射能力低等。除常规宏观性能要求外，还要求气孔率，微观组织性能，故要采取特殊工艺，需真空脱气、真空熔渗等复杂工艺。

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钨铜保持二极管机关器的温度，在微电子封装模具除了传统的散热，更苛刻的应用是铜/钨或钨铜金属基复合材料（MC）的半导体激光二极管的坐骑和底座。目前，大多数半导体激光二极管的安装上安装或WCU制成的热沉。改进散热器和模具之间的热膨胀匹配，再加上目前的趋势，增加芯片尺寸和功率耗散要求，取得了钨铜包装激光二极管的材料。

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钨铜材料生产工艺钨金属与铜金属的熔点相差很大，而且钨金属与铜金属的密度也相差很大，cuw90钨铜棒，且钨铜不互溶，因此钨铜复合材料只能采用粉末冶金方法制备。从提高材料的致密度等性能出发，国内外学者对钨铜材料的制备工艺进行了大量研究，形成了多种烧结方法。

钨铜综合了金属钨和铜的优点，其中钨熔点高（钨熔点为3410℃，铁的熔点1534℃） ，密度大（钨密度为19.34g/cm3，铁的密度为7.8g/cm3) ；铜导电导热性能***。

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