艺炫电子科技——mos管

mos管隔离驱动电路，如果驱动高压MOS管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识

艺炫电子科技——大功率MOS管

大功率MOS管构造

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，浙江场效应管，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，场效应管哪家好，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的

艺炫电子科技——大功率MOS管

P-MOS通常用作电源的开关，控制设备的电源打开或者关闭。

如上图，默认状态下LCD_PWR_EN是被拉低的，T2001关断，P-MOS的控制端（U2003的pin1，G极）是高电平，VGS=0，此时P-MOS关断，电压没有输出到右边。

如果GPIO被拉高，T2001导通，MOS管G极被拉低，场效应管型号，VGS=VBAT，超过了打开电压，此时P-MOS被打开，电压有输出到右侧。

艺炫电子科技——MOS管

MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

艺炫电子科技——MOS管

MOS失效的原因

1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，场效应管价格，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。

6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。

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