艺炫电子科技——mos管

MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，场效应管价格，哪怕是小功率MOS管，场效应管批发，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，***变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也涉及嵌入式开发，对大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型

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mos管隔离驱动电路，场效应管，如果驱动高压MOS管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识

艺炫电子科技——MOS管

MOS管发热四大关键因素。

1.芯片发热，场效应管厂家，假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf

2.功率管发热，功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。

3.工作频率降频，输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。

4.电感或者变压器的选择，

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