艺炫电子科技——MOS管

MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，北京元器件，手或工具在接触集成块前先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。导电性可以由电阻率来反映。对于导体，电子元器件厂家，例如大多数金属，其电阻率的数量级是10-7～10-8Ω·m；对于绝缘体例如氧化物薄膜、云母、玻璃、塑料等等，电子元器件批发，他们的电阻率在1010和1014Ω·m之间。半导体的电阻率介于两者之间，但其变化之大（大约13个数量级），客观上很难把电阻率当作判定材料的适当参数。这里我们引入固体能带理论，一方面可以解释电阻率的起源，一方面可以相对准确的定义半导体。

如何判断mos管工作状态，文中将会具体描述出来。mos管的工作状态一共有两种：增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的

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MOS管开关电路

学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，电子元器件***，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。

MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。

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