艺炫电子科技——MOS管

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，直插mos管批发，损耗小，驱动电路简单，丹东mos管，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，高压mos管厂家，缺点开关速度不高，比较昂贵。

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MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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MOS失效的原因

1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

4：谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

5：静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。

6：栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。

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mos管隔离驱动电路，如果驱动高压MOS管，我们需要采用变压器驱动的方式和集成的高边开关。这两个解决方案都有自己的优点和缺点，直插mos管哪家好，适合不同的应用。集成高边驱动器方案很方便，优点是电路板面积较小，缺点是有很大的导通和关断延迟。变压器耦合解决方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。常它需要更多，缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识

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