LED照明的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成的，其***是PN结。因此它具有一般P-N结的I-V特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光***效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料带隙Eg有关，即 λ≈1240/Eg（mm）

式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。       随着LED照明行业的技术提升，LED的发光效率正在逐步提高，成本相应降低。从发光效率的提升来看，LED光源进入室外照明的光效门槛需达100 流明/瓦，显色指数达到65 以上；室内照明需80 流明/瓦，显色指数达到80 以上。各大LED芯片厂商均致力于光效的提升，例如Nichia 公司于2009 年2 月发表了代表业内的光效的小功率白光LED，光效达249 流明/瓦；美国Cree 公司于2010 年发布了光效达208 流明/瓦的大功率白光LED。截至2010 年上半年，Cree公司量产的大功率LED的光效可达到132 流明/瓦。

         LED照明需求从去年开始见到明显成长，渗透率正式跨入双位数(10%以上)，显示替换需求开始发动，当多数LED厂在抢攻产业接下来的黄金3年成长期时，国际厂已经为2017年后的市场作准备。

         从飞利浦推出的照明系统解决方案来看，除LED光源外，其实控制、侦测都扮演十分重要的角色，而此将考验各厂整合与组织的能力。李秉杰说，公司很早就在为2017年后的市场发展做准备，耕耘已久的虚拟垂直整合模式将于此发展上见到真正效益，未来也将结合台厂于无线技术的实力，期盼能够在台湾组成联盟，一同进军智慧照明市场。

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