单片集成电路工艺

利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和***硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。

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集成电路分为厚膜电路、薄膜电路和半导体集成电路。厚膜电路与薄膜电路的区别有两点:其一是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm;其二是制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，选用的材料基板使用陶瓷作为基板，(较多的使用氧化铝陶瓷)，薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。厚膜是指在基片上用印刷烧结技术所形成的厚度为几微米到数十微米的膜层。制造这种膜层的材料，称为厚膜材料。折叠组成厚膜材料是一类涂料或浆料，由一种或几种固体微粒(0.2~10微米)均匀悬浮于载体中而形成。为了便于印刷成形，浆料必须具有合适的粘度和触变性(粘度随外力而改变的性质)。固体微粒是厚膜的组成部分，决定膜的性质和用途。载体在烧结过程中分解逸出。载体至少含有三种成分，树脂或聚合物粘合剂、溶剂和表面活化剂。粘合剂给浆料提供基本的流变特性;溶剂稀释树脂，随后挥发掉，以使印刷图样干涸;活化剂使固体微粒被载体浸润并适当分散于载体中。

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电位计是通过改变电阻膜上下电阻比率来实现输出电压改变的，在此过程中，端电压和端电阻不会随外部位置变化，和一般滑动变阻器不同。

反馈电位计由驱动齿轮、心轴及滑块组成。调整电机驱动齿轮转动，从而带动心轴转动，滑块在心轴上作左右滑移，电阻值通过接线端输出并反馈给控制单元。与其它调节方向不同，进行靠背倾度调节时，调整电机通过行星齿轮机构驱动反馈信号电位计折叠调整元件调整元件集中布置在驾驶员座椅下，不锈钢发热板加工，执行控制元件发出的指令，完成驾驶员座椅位置的调节、记忆调出功能。调整元件主要有:控制单元-是一个设有35个接点的微型电脑，它是整个系统的***，接收并分析处理各种控制信号及反馈信号，发出调整及记忆指令。

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