。●初级与次级主绕组必须是***近相邻的绕组，这样耦合会更有利。●开关电源在MOSFET-D端点工作时候产生的干扰是（也是RCD吸收端与变压器相连的端点），在变压器绕制时建议将他绕在变压器的个绕组，并作为起点端，让他藏在变压器***里层，这样后面绕组铜线的屏蔽是有较好抑制干扰效果的。●VCC绕组在计算其圈数时尽量的在IC工作电压乘以1.1倍作为误差值，不用考虑铜线的压降，因为启动前电流是非常小的，所以这个电阻并没有多少影响，几乎可以忽略不计。

切记，以前在这上面吃了大亏 52.变压器磁芯形状选用小结a..EE，EI，EF，EEL类，常用来制作中小功率的变压器，成本低，工艺简单b..EFD，EPC类，常用来制作对高度有限制的产品，适合做中小功率类c..EER，LED驱动电源生产，ERL，ETD类，常用来制作大中型功率的变压器，特别适合用来制作多路输出的大功率主变压器，且变压器漏感较小，比较容易符合安规d..PQ，EQ，LP类，该磁芯的中间柱较一般的磁芯要大，产品漏感较小，适合做小体积大功率的变压器，输出组数不能过多e..RM，POT类，常用来制作通讯类或中小功率高频变压器，本身的磁屏蔽很好，容易满足EMC特性f..EDR类，一般常用于LED驱动，产品厚度要求薄，变压器制做工艺复杂53.某些元器件或导线之间可能有较高电位差，应加大它们之间的距离，以免放电引出意外短路。


31.电路设计，请注意使用的Y电容总容量，不能超过222P，LED驱动电源加工， 因为有漏电流的影响 针对不同安规，漏电流要求也不一样，在设计时需特别留意 32.反激拓补结构，变压器B值需小于3500高斯，湖南LED驱动电源，如果变压器饱和一切动作将会失控，如下，上图为正常，下图为饱和。 变压器的磁饱和一定要确认，重重之重，这是首条安全性能保障，包括过流点的磁饱和、开机瞬间的磁饱和、输出短路的磁饱和、高温下的磁饱和、高低压的磁饱和。 33.结构设计，散热片使用螺丝固定参考以下表格设计，实际应用中应增加0.5-1mm余量，参考如下表格： BOM表上写的螺丝规格一定要对，不然量产时会让你难受 34.结构设计，AC PIN焊线材的需使用勾焊，如果不是则要点白胶固定。理由：安规要求 经常被第三方机构退回样品，整改


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