英飞凌FF75R12RT4功率IGBT模块

 

FF75R12RT4

1200 V 75 A IGBT 模块

特征描述

  • 提高工作温度Tvj op

  • 低开关损耗

  • 低 VCEsat

  • Tvj op = 150°C

  • VCEsat 带正温度系数

  • 绝缘基板

  • 标准封装

优势

  • 灵活性

  • 优化电气性能

  • 可靠性高

潜在应用

  • 电机控制和驱动

  • 不间断电源(UPS)

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