半导体型
其发光源采用的是半导体列阵，所以光转换效率非常高，达到40%以上；热耗损低，无需单独配备冷却系统；耗电少，1800W/H左右。整机性能非常稳定，江西铝材厂激光打码机，属于免维护产品，整机免维护时间可达到150000小时，相当于10年免维护，没有灯的更换，无耗材。
基础配置及技术规格：
型号项目 CCC-DP50
激光器 CCC-DP50（相干激光模块）
扫描振镜 YAG-16mm镜片
聚焦透镜 1064-110
Q开关 英国Gooch & Housego
控制软件***激光标记软件for Windows98/2000/XP
冷却系统 水冷
工作方式 静态标记字体 50种以上的标准字体，并特殊设计手写字体输入功能
输入电源 220V AC 50Hz
激光输出功率 0-50W
激光打标机
激光打标机
打标频率0.5－50KHZ
整机功率 1500W
打标线宽 0.02mm
标刻深度 ≤3毫米（视材料可调）标刻速度 ≤7000㎜/s
小字符 0.2mm
打标范围 标准：110mm×110mm备 注 精密三维升降操作台
铝材厂激光打码机
1.可雕刻金属及多种非金属材料。更适合应用于一些要求精细、精度高的产品加工。
2.应用于电子元器件、集成电路（IC）、电工电器、手机通讯、五金制品、工具配件、精密器械、眼镜钟表、首饰饰品、汽车配件、塑胶按键、建材、PVC管材、器械等行业。
3.适用材料包括：普通金属及合金（铁、铜、铝、镁、锌等所有金属），铝材厂激光打码机价格，稀有金属及合金（金、银、钛），金属氧化物（各种金属氧化物均可），铝材厂激光打码机维修，特殊表面处理（铝阳极化、电镀表面），ABS料（电器用品外壳，日用品），油墨（透光按键、印刷制品），环氧树脂（电子元件的封装、绝缘层）。
1.高功率激光系统和核聚变研究 1964年王淦昌独提出激光聚变倡议，1965年立项开始研究。经几年努力，建成了输出功率10（上标10）瓦的纳秒级激光装置，并于1973年5月在低温固靶、常温化锂靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国一台多程片状放大器，把激光输出功率提高了10倍，中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理解后，铝材厂激光打码机配件，积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统，对充气玻壳靶照射，获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破，使我国的激光聚变研究进入世界***行列，也为以后长期的持续发展奠定了基础。
2.用激光研究 1966年12月，***科委主持召开了激光规划会，48个单位130余人参加，会议制定了包括含15种激光整机、9种支撑配套技术的发展规划。虽未正式批准生效，但仍起了有益的推动作用。此后的几年内，这一领域涌现了一批重要成果。
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