第二类：晶圆级封装（WLP）。这类封装主要涉及扇入型（fan-in）和扇出型（fan-out）两种封装类型。WLP封装时裸片还在晶圆上。一般来说，WLP是一种无基板封装。WLP利用由布线层（routing layers）或重新布线层（RDL）构成的薄膜来代替基板，该薄膜在封装中提供电气连接。

RDL不会直接与电路板连接。相反，WLP会在封装体底部使用锡球，从而将RDL连接到电路板。

嵌入式芯片封装发展趋势解析

据麦姆斯咨询介绍，芯片及系统外形尺寸的发展趋势是越做越小，嵌入式芯片封装因此找到了新的需求。

根据Yole的报告，日月光（ASE）、奥特斯（AT&S）、通用电气（GE）、新光（Shinko）、太阳诱电（Taiyo Yuden）、TDK、Würth Elektronik等公司都在商业嵌入式芯片封装市场中展开激烈的竞争。事实上，在这场竞争中，ASE与TDK联手合作提高产量。此外，德州仪器（Texas Instruments，TI）和其他集成电路制造商也开发了各自的嵌入式芯片封装。

这项技术有对电热管理有利。Gerbier继续解释：“这与正在进行的如TSV的3D堆叠解决方案没什么不同。裸片排列更紧凑，这样互连会更短。当在嵌入式技术上进行互连工艺时，就是在pad的顶部构建了布线层。因此当创建通孔或连接点与pad连接，微流控芯片封装哪里有，我发现一种无需焊料就可以实现互连的方法，这就是copper-to-copper。从可靠性的角度来看，如果材料匹配，pcr微流控芯片***封装胶水，就不会有太多问题。”

在SESUB中，微流控芯片封装，***通用的配置是4层基板的嵌入式封装，有些也会开发2层、5层或6层的基板。

该技术对于输入输出（I/O）数量的理想数值是400。line/space的规范是大于等于10μm。pad尺寸为80μm，pad间的间距为120μm。Gerbeir说：“到2018年和2019年，pad尺寸有望会降为30μm，间距降为50μm。”

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