贴片电阻又称为瓷介电容器，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类，按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。

贴片电容分类_贴片电容选型要素

NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗***稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。贴片电阻损坏的解决办法1更换新的整流桥和贴片电阻器件，要确保整流桥焊接稳固，与周边的器件保持安全距离。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。贴片电容分类_贴片电容选型要素X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有Z大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率Z大可达每10年下降5%。

MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。3后级电路、逆变功率开关器件损坏，致使整流桥流过短路电流而损坏。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

以上就是贴片电容分类_贴片电容选型要素，希望对各位有帮助。

根据介质的不同，分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容几种。

陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，自体电感小。

云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。

纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁壳以提潮性。价格低，容量大。

薄膜电容：用聚、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。

电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大，稳定性差。

常用的容量单位有：

μF（10 10-6 F）、nF nF（10 10-9 F）和 ）PF （10 10-12 F）， ），标注方法与电阻相同。

电容的选用应考虑使用频率、耐压。电解电容还应注意极性，使 +极接到直流高电位，还应考虑使用温度。当标注中省略单位时，默认单位应为PF。

电阻电桥的工作原理及其特性：主要论述了为什么要使用电阻电桥，电桥的基本配置，以及一些具有小信号输出的电桥，例如粘贴丝式或金属箔应变计。本篇应用笔记则侧重于高输出的硅应变计。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0。本篇应用笔记作为第二部分，重点介绍高输出的硅应变计，以及它与高分辨率Σ-Δ模数转换器良好的适配性。举例说明了如何为给定的非补偿传感器计算所需ADC的分辨率和动态范围。本文演示了在构建一个简单的比例电路时，如何确定ADC和硅应变计的特性，并给出了一个采用电流驱动传感器的简化应用电路。

　　硅应变计的背景知识

　　硅应变计的优点在于高灵敏度。硅材料中的应力引起体电阻的变化。额定功率：是指在某个温度下允许使用的功率，通常指环境温度为70°C时的额定功率。相比那些仅靠电阻的尺寸变化引起电阻变化的金属箔或粘贴丝式应变计，其输出通常要大一个数量级。这种硅应变计的输出信号大，可以与较廉价的电子器件配套使用。但是，这些小而脆的器件的安装和连线非常困难，并增加了成本，因而限制了它们在粘贴式应变计应用中的使用。然而，硅应变计却是MEMS （微机电结构）应用的选择。利用MEMS，可将机械结构建立在硅片上，多个应变计可以作为机械构造的一部分一起制造。因此，MEMS工艺为整个设计问题提供了一个强大的、低成本的解决方案，而不需要单独处理每个应变计。