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刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的后一步，即将光刻胶去除，以方便进行半导体器件制造的其他步骤。通常，制版，半导体器件制造整个过程中，会进行很多次光刻流程。生产复杂集成电路的工艺过程中可能需要进行多达50步光刻，而生产薄膜所需的光刻次数会少一些。

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实体结构：布满集成电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片上的图像。倍缩光掩模（Reticle）：当铬膜玻璃仅能局部覆盖晶圆称为倍缩光掩模，制版报价，通常图型要放大4倍、5倍或10倍。光掩模（Mask）：当铬膜玻璃上的图像能覆盖整个晶圆时称之为光罩。

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在容栅电子光学微影技术性中，光罩表层的挡光图样会与基钢板上的光阻层触碰磨擦，非常容易促使挡光图样损耗促使光罩使用期减少。另一个，当施胶光亮阻层的基钢板表层并不是十分整平时，制版价格，光罩与光阻层会造成不确定性的间隙与间距，而导致光源的光学散射与绕射，从而导致曝i光的规格偏差，而且导致光阻层浅部一部分的侧面曝i光范畴扩张，因此没法制做出深奥长宽比的光阻构造。

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