传感器的分类方法有哪些?
传感器是根据材料的物理、化学、生物学的特性和规律设计而成的器件，种类繁多，在测控领域内，由某一原理设计的传感器可以同时测量多种非电量，而有时一种非电量又可用多种不同原理的传感器测量，因此传感器的分类方法较多。
传感器按输入量分类
按输入量可分为压力、位移、速度、温度、湿度等传感器。这种分类方法明确地表达了传感器的用途，便于选用，但该分类法将原理互不相同的传感器归于一类，难以找出每种传感器的转换原理上有何共性和差异。
拉绳位移传感器主要应用
拉绳位移传感器主要应用在施工地下连续墙时由地表向下开挖成槽的机械装备。成槽机对垂直度和深度的检测相当。而位移传感器在其中就起着决定性的作用，利用超声波监测仪检测垂直度，而利用位移传感器检测的则是深度。成槽机和挖掘机类似，同样是可以实现深度测量。但是挖掘机能利用几个角度传感器的去实现挖掘角度的测量，成槽机因为基本上是垂直向下进行挖掘，即使去使用多个角度传感器去实现的话也是相当的麻烦。
传感器电路内部噪声:晶体管的噪声
传感器电路内部的噪声：晶体管的噪声主要有热噪声、散粒噪声、闪烁噪声。热噪声是由于载流子不规则的热运动通过BJT内3个区的体电阻及相应的引线电阻时而产生。通常所说的BJT中的电流，只是一个平均值。实际上通过发射结注入到基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而发射极电流或集电极电流都有无规则的波动，会产生散粒噪声。由于半导体材料及制造工艺水平使得晶体管表面清洁处理不好而引起的噪声称为闪烁噪声。它与半导体表面少数载流子的复合有关，表现为发射极电流的起伏，其电流噪声谱密度与频率近似成反比，又称1/f噪声。它主要在低频(kHz以下)范围起主要作用。
零残电压对LVDT位移传感器的影响
零残电压对LVDT位移传感器的影响主要有：传感器输出特性在零点位置附近不灵敏，限制了位移传感器分辨率的提高；如果传感器零残电压太大，会大幅影响位移传感器的线性精度，也会使传感器的灵敏度大幅下降。为了减小LVDT位移传感器的零残电压，线圈绕制过程中药尽量保证初级线圈与次级线圈结构的均匀与对称；次级线圈磁路的对称；铁芯选材应确保材质均匀，经热处理改善型材的机械性能和磁性；设计有效的电路补偿。补偿电路形式很多，常见的有：电阻串联，电阻并联，电容并联，外加反馈绕组或反馈电容等，是一种简单有效的方法。
