可控硅模块(semiconductormodule)

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。早是在1970年由西门康公司将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

可控硅模块的三个极性该如何判断?

可控硅模块的三个极性该如何判断？

1、用万用表的Rx1000Ω或Rx100Ω，分别测量各管脚间的正反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小，即为T1极和G极，余者为T2极。

2、T1极和G极的区分：任选其中一极为T1，将万用表拨至RX1Ω,不用分表笔的正负，分别将两笔至T2极和T1极(假设)。用和T2相接的表笔在保持和T2相接的情况下和G(假设)相接，这时会看到晶闸管的阻值明显变小，说明双向晶闸管可能因触发导通而处于通态，再在保持该表笔和T2相接的情况下和G极(假设)断开，如果晶闸管仍于通态，则对换两表笔，重复上述步骤。如果仍能使晶闸管处于通态，则假设是正确的，否则假设是错误的。这样就应该对换假设的两极再重复上述的步骤。

可控硅模块的防护措施

可控硅模块的防护措施：

一、过电流保护措施。

可控硅模块过电流的主要原因是过载、短路和误触发，常见的过电流保护有以下三种：

1、过电流继电器。

在电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路，但是由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以，只能用作可控硅的过载保护。

2、过载截止保护。

利用过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或者使得可控硅模块的导通角减小，或者干脆停止触发保护可控硅。

3、快速熔断器。

快速熔断器中的熔丝是银质的，只要选择得当，在同样的过电流倍数下，就可以在可控硅损坏前先熔断，从而保护了晶闸管。

可控硅模块在低温下运行的注意事项

可控硅模块的使用和周围的环境有一定的关系和影响。如果是在低温环境的情况下就须要注意一些事项才能保证其正常工作。

在-40℃条件下，要保证可控硅模块的正常运行，就须要有足够强度的晶闸管门极触发电流来保证设备的启动。

还应该依据现场环境温度考虑器件和散热器的选择。

如果设备频繁的启动、停止，应注意器件的寿命是否降低了。