DRAM市场发展史

三星充分利用了存储器行业的强周期特点，依靠的输血，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候，扩产，通过大规模生产进一步下杀产品价格，从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产，数转胶存档机，世人称之为“反周期定律”。在存储器这个领域，数转胶存档机多少钱，三星一共祭出过三次“反周期定律”，前两次分别发生在80年代中期和90年代初，让三星从零开始，做到了存储器老大的位置。但三星显然觉得玩的还不够大，于是在2008年金融危机前后，第三次举起了“反周期”屠刀。

不同类别存储器的基本原理

存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。

易失性存储器分SRAM和DRAM；非易失性存储器以Nor-flash和Nand-flash为典型代表。DRAMDRAM cell结构由1个MOS和1个电容组成，由电容是否带电荷来区分0和1。不过，由于电容漏电流的原因，DRAM无法长时间保存数据，需要“动态”刷新（刷新周期在亚ms级别）。

NAND FLASH的结构和特性

通过NAND FLASH的结构原理图，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，数转胶存档机价格，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变Floating Gate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，数转胶存档机多少钱，而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷，有电荷时，Bit Line读出‘0’，无电荷Bit Line读出‘1’，实现了Page数据的读出，可见NAND无法实现位读取（即Random Access），程序代码也就无法在NAND上运行。

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