碳化硅的工业制法是用石英砂和石油焦在电阻炉内炼制。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。制作工艺编辑由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，供应贝塔碳化硅，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入和木屑，置入电炉中，贝塔碳化硅的价格，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。






碳化硅的硬度很大，莫氏硬度为9.5级，甘肃贝塔碳化硅，仅次于硬的金刚石（10级），采购贝塔碳化硅，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成，结构如页面附图所示。



1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。



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