技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1）功能

GBT模块动态参数测试。

*2）测试对象

被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标

测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

其中：Vcc 试验电压源±VGG 栅极电压C1 箝位电容Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC 集电极电流取样电流传感器DUT 被测器件关断时间采用单脉冲测试，检修用IGBT测试仪加工，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，检修用IGBT测试仪厂家，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，检修用IGBT测试仪价格，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求。

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，检修用IGBT测试仪，均可属于大功率的范围。西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

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