在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：

　　1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究

　　2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，天津不导电样品电镜分析，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。

　　3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。

　　4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。

在目前微观形貌的分析研究中，随着半导体器件等高新技术的发展，往往要求对表面的细微结构能够更深入地观察和了解，因此发展高分辨力的电镜一直是生产厂商和用户们所追求的共同目标。要获得一张清晰、高分辨的照片，不仅要有一台性能***的高分辨力扫描电子显微镜，而且还取决于试样自身的特征和操作人员的工作经验，即要考虑以下几种因素：

（1）入射电子束的束流密度要足够大，而且稳定→电子源的发射问题。

（2）入射电子束的束斑是否足够细、足够旋转对称（圆），涉及电子透镜的设计、加工和装配水平，以及镜筒受污染的影响程度等→探针的形成问题。

二次电子的发射率随原子序数的变化不是很明显，如图a所示，它主要取决于试样的表面形貌。它是入射电子与试样中核外电子碰撞，使试样表面的核外电子被激发出来所产生的电子。当这些代表试样表面结构特征的电子被相应的探测器收集后作为扫描电镜的成像信号，其所成的像就称为二次电子像。二次电子像的衬度主要取决干试样表面与入射电子束所构成的倾角，而对于表面有一定形貌的试样，其形貌被看成由许许多多与入射电子束构成不同倾斜角度的微小形貌，如凸点、尖峰、台阶、平面、凹坑、裂纹和孔洞等细节所组成。

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