在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：
1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究
2)利用样品电流成像，三维重构哪家好，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。
3)利用二次电子电位反差像，三维重构费用，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。
4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，揭阳三维重构，基于晶体结构的相鉴定。
影响扫描电镜的分辨本领的主要因素
影响扫描电镜的分辨本领的主要因素有：
A. 入射电子束束斑直径：为扫描电镜分辨本领的极限。一般，热阴极电子的很小束斑直径可缩小到6nm，场发射电子可使束斑直径小于3nm。
B. 入射电子束在样品中的扩展效应：扩散程度取决于入射束电子能量和样品原子序数的高低。入射束能量越高，样品原子序数越小，则电子束作用体积越大，产生信号的区域随电子束的扩散而变大，从而降低了分辨率。
C. 成像方式及所用的调制信号：当以二次电子为调制信号时，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短(10~100 nm左右)，只有在表层50～100 nm的深度范围内的二次电子才能逸出样品表面， 发生散射次数很有限，基本未向侧向扩展，因此，二次电子像分辨率约等于束斑直径。
二次电子是相对于入射电子的一种提法。它是指被高能入射（也称为一次或初次）电子束轰击出来的试样中的核外电子。由于原子核和外层价电子间的结合能很小，三维重构中心，当原子的核外电子从入射电子那里获得大于相应的结合能后，就可脱离原子核的约束而成为自由电子。如果这种脱离过程发生在试样表面和亚表面层，那么这些能量大于材料逸出功的电子就可以从试样表面逸出，就成为二次电子。
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