背散射电子像具有下列基本性质和特点：

（1）其成像信息主要来自于返回试样表面的原一次电子，大部分电子的能量基本接近于原入射电子的能量。

（2）由于入射电子在试样中产生背散射电子的区域比二次电子的区域深、范围大，故背散射电子像的几何分辨力远不如二次电子像，对于中等或以上元素的分辨力与二次像相比约差2.5倍以上。

（3）由于背散射电子的能量较大，天津不导电样品电镜分析，故其出射方向基本不受试样表面弱电场的影响，而且类似于点光源的形式以直线方式沿其径向轨迹散射开来。因此，只有出射方向正对着探测器的背散射电子才可以进入探测器中。当背散射探测器的有效面积所覆盖的立体角越大时，其接收效率越高，信噪比也越好，图像分辨力越能得到改善。

二次电子的能量低，受局部电场的影响变化大，如图a所示的颗粒在电子束的照射下因充了负电子而发白，在这发白的颗粒周围感应了正电荷，而感应了正电荷的区域导致二次电子的发射量减小，使颗粒周围明显变暗。由于二次电子像分辨力高、阴影效应不明显、景深深、立体感强，所以它是扫描电镜中主要的成像方式。它特别适用于观察和分析起伏较大的粗糙面，如金属、陶瓷和塑料等材料的断口，所以在材料学科中扫描电镜得到了广泛应用。

这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以在二次电子像中也包含了一小部分背散射电子的信息，如图b中对应的背散射电子成分像的一些衬度信息也能在图a中反映出来，只不过图a中所显现的原子序数的衬度没有像图b中那么明显而已。

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