品牌
产地
型号
厚度
曝光
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线曝光的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化，
不必使用RIE
加工器件的永
组成
（OLED显示
器上的间隔
区）凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围：
0.5～20.0 μm
i、g和h线曝光波长
曝光
对生产效率的影响：
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
0.7μm~2.1μm
粘度增强
NR9-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR71G-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71G-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR71G-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
粘度增强
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR9G-6000PY
5.7μm~12.2μm
品牌
产地
型号
厚度
耐热温度
应用
Futurrex
美国
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
NR9-3000PYNR9 1500P光刻胶
2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um，
3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，NR9 1500P光刻胶，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，NR9 1500P光刻胶厂家，红外线辐射。
烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，NR9 1500P光刻胶价格，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，NR9 1500P光刻胶公司，而前烘不足会影响后面的显影效果。
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
NR9 1500P光刻胶公司-赛米莱德公司由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司是从事“光刻胶”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：苏经理。
