为了观察到复合材料界面区的二次电子像，应用某种方法将材料的界面区域暴露于试样表面。例如：
将纤维增强复合材料中的纤维拉出，暴露出纤维表面和原先与纤维相结合的基体表面，这是受到或多或少损坏的界面。
另一个常用的方法是对复合材料施力，使其沿设定的方向断裂。对脆性材料，球差电镜测试中心，可在常温下实施；而对韧性复合材料，球差电镜测试哪家好，可用冷冻断裂法，球差电镜测试机构，在液氮温度下将材料脆性断裂，暴露出包含基体、增强体和界面的区域。
还有一种方法是将暴露了界面区的端面或断裂面，在超薄切片机上用金刚石刀或玻璃刀切平。
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这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以在二次电子像中也包含了一小部分背散射电子的信息，如图b中对应的背散射电子成分像的一些衬度信息也能在图a中反映出来，只不过图a中所显现的原子序数的衬度没有像图b中那么明显而已。
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