1.高功率激光系统和核聚变研究 1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议，1965年立项开始研究。经几年努力，建成了输出功率10（上标10）瓦的纳秒级激光装置，并于1973年5月在低温固靶、常温化锂靶和化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国一台多程片状放大器，把激光输出功率提高了10倍，中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理后，积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统，对充气玻壳靶照射，获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破，余姚激光打标机，使我国的激光聚变研究进入世界***行列，也为以后长期的持续发展奠定了基础。
2.激光研究 1966年12月，科委主持召开了激光规划会，48个单位130余人参加，会议制定了包括含15种激光整机、9种支撑配套技术的发展规划。虽未正式批准生效，激光切割机打标机厂家，但仍起了有益的推动作用。此后的几年内，这一领域涌现了一批重要成果。
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同时，作为具有高亮度、高方向性、高质量等优异特性的新光源，激光很快应用于各技术领域，显示出强大的生命力和竞争力。通信方面，1964年9月用激光演示传送电视图像，1964年11月实现3～30公里的通话。工业方面，1965年5月激光打孔机成功地用于拉丝模打孔生产，获得显著经济效益。医学方面，1965年6月激光焊接器进行了动物和临床实验 。方面，1965年12月研制成功激光漫反射测距机（精度为10米/10公里），1966年4月研制出遥控脉冲激光测速仪。
由于半导体二极管几乎只发一种波长的光，所以由它泵浦产生的激光的单色性更好，无缝对接激光打标机，激光的模式更佳，好的激光模式会使激光聚焦后的光点更小，能量更集中，取得更好的标记效果；
半导体及灯泵浦激光器都是采用ND:YAG（掺钕钇铝石榴石）晶体作为激光产生的材料，农副产品激光打标机，它可将808nm的可见光转换为1064nm的不可见的激光，但输出激光的另一个更关键的因素是使晶体棒输出激光的泵浦源，半导体泵浦是利用半导体二极管发出808nm的光波；而灯泵浦是利用灯发出的光来泵浦，但灯发出的光的光谱较广，只是在808nm处有一个稍大的峰值，其它波长的光后都变成无用的热量散发掉了。
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