NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，碱腐蚀设备，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。

化学清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF，H2SO4，H2O2，碱腐蚀，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子，去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。

半导体清洗

半导体清洗机在清洁过程中使用普通自来水、酒精、溶剂来进行清洗就可以了。没有那么多各种各样的清洗剂。

半导体清洗机大功率换能器清洗效果良好，可用肉眼观察到，清洗后物体闪亮发光。而且他是机械定时控制开机时间。全不锈钢外壳与盖子、内胆，更显*档。新版本的半导体清洗机在防水性方面大大改进，产品更加安全持久，配了排水球阀，带加热配恒温系统，配不锈钢清洗篮可按照客户的要求设计制造。

目前在 半导体清洗机湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，碱腐蚀清洗机，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，辽阳碱，便成为清洗制程中研究主要的课题。

过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。

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