半导体封装形式介绍
3．3．5 封装晶片级封装CSP(Chip Scale Package)。几年之前以上所有的封装其封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来和以前封装的区别。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有些公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1．4或1．2的定为CSP。目前开发应用为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存件和逻辑器件。就目前来看CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百以上。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置，如个人信息工具、手机、摄录一体机、以及数码相机等。
腐蚀机对功率半导体器件中半导体芯片进行腐蚀加工均采用人工操作，即先人工将半导体芯片除台面外的两面涂黑蜡保护，再人工将半导体芯片台面进行腐蚀、清洗，人工用有机物去除黑蜡、清洗、烘干。现有人工对半导体芯片台面进行腐蚀不仅存在手工涂蜡浪费人力及有机物的问题，而且还存在不能在保持芯片干净的情况下直接进行烘干的问题。
湿法刻蚀：用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在 3um 以后由于线宽控 制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和 残留物的清洗。干法刻蚀：常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离 子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。
清洗槽（也叫酸槽/化学槽），主要有HF,,H2SO4,H2O2，HCL等酸碱液体按一定比例配置，目的是为了去除杂质，去离子,去原子，后还有DI清洗。IPA是，就是工业酒精，是用来clean机台或parts的，是为了减少partical的。
