考夫曼离子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 NASA 路易斯研究中心, 60考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 AIAA 授予他 James H. Wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了IR 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.
2016年, 美国 NASA 宇航局将 Harold Kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂

1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 简称 KRI, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供***的解决方案. 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

KRI 离子源主要产品
上海伯东美国 KRI 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 等, KRI 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含考夫曼离子源, 霍尔离子源, 射频离子源和电源控制器, 共计超过 25种规格, 累积销售 3500+ 台!

KRI 离子源主要应用
作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜

离子清洗和溅射镀膜: 射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜

在高倍显微镜下检视脱膜测试

测试结果

--------- 使用其他品牌离子源---     --------------------- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------

从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国 KRI 离子源, 样品无崩边

美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利, 在此领域中, KRI 离子源是公认的, KRI 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术文,为推进宽波束设备和材料加工领域行业的知识体系做出贡献!
上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc  中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼离子源或是 KDC 直流电原式考夫曼离子源.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-                    www.hakuto-.tw

伯东版权所有, 翻拷必究!