4、PECVD

等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。

在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。

电路板清洗技术

3、 免清洗技术

在焊接过程中采用免清洗助焊剂或免清洗焊膏，焊接后直接进入下道工序不再清洗，

免清洗技术是目前使用多的一种替代技术，尤其是移动通信产品基本上都是采用免洗方法来替代ODS。目前国内外已经开发出很多种免洗焊剂，国内如北京晶英公司的免清洗焊剂。

免清洗焊剂大致可分为三类：

1） 松香型焊剂：再流焊接使用（RMA），可免洗。

2） 水溶型焊剂：焊后用水清洗。

3） 低固态含量助焊剂：免清洗。免清洗技术具有简化工艺流程、节省制造成本

和污染少的优点。近十年来，免清洗焊接技术、免清洗焊剂和免清洗焊膏的普遍使用，是20 世纪末电子产业的一大特点。取代CFCs 的途径是实现免清洗。

现价段，中国的多晶硅厂家都是直接购进三氯氢硅，有合成三氯氢硅工序的很少。因为三氯氢硅的合成是氯气和硅粉在高压高温下反应生成，类似于合成氨。所以一方面危险性高，另一方面硅粉分离比较成问题，还有一方面投资也大。本来一个年产300吨多晶硅规模的不要合成三氯氢硅工序就要投资一亿多，所以一般企业都不上。

多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅。