材料刻蚀工艺——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，天河材料刻蚀工艺，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，深硅刻蚀材料刻蚀工艺，以及行业应用技术开发。

具体步骤为：

1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，半导体材料刻蚀工艺，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；

2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；

3、冲纯水；

4、甩干。

Al上CVD腐蚀：

掺磷的SiO2是磷硅玻璃，如果PSG是长在铝上做钝化层，这时采用二氧化硅腐蚀液腐蚀会伤及铝层，所以一般采用如下腐蚀液：冰：=2：3。具体步骤为：

1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S；

2、将片架放入装有腐蚀液（冰：=2：3）的槽中浸泡，并且上下晃动片架；

3、将片架放入装有溶液（：纯水=1：1）的槽中浸泡；

4、在溢流槽中溢流冲水；

5、冲纯水；

6、甩干。

欢迎来电咨询半导体研究所了解更多材料刻蚀工艺~

材料刻蚀工艺——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，氮化硅材料刻蚀工艺，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

在筒形蚀刻机中刻蚀速度非常快，且对衬底的损伤很小

由于等离子体是在shield和RF电极中之间的圆环产生，所以盛放晶圆的石英舟也会被蚀刻

一个金属网保护衬底防止衬底直接暴露在等离子下

中性反应物质通过这层网扩散到衬底表面上发生化学反应的地方，通过蚀刻将材料移除.

更多***的等离子蚀刻使用平行板配置，因为他们可以简单地融入小批量或单片式机台

绝大多数配置包含对应上部电极或衬底支架的RF偏置

这给与了用户选择使用简单的各向同性等离子蚀刻（仅上部电极通电）

或者使用方向性的反应离子蚀刻（上部和下部电极都通电 并且在衬底上施加偏压以吸引反应离子，

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材料刻蚀工艺——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

反应离子蚀刻

反应离子蚀刻（以下简称RIE）使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料，它是能产生定向蚀刻的基本工艺

高度各向异性的蚀刻工艺能够通过RIE中伴随等离子化学反应蚀刻同时发生的带能离子轰击获得

RIE工艺之所以能够获得高度各向异性的蚀刻是因为朝向衬底轰击的离子受到了负偏置衬底的加速作用，同时衬底表面发生着高蚀刻速率的化学反应.

离子轰击的协同效应增加了化学反应的速率（帮助反应物获得能量离开衬底表面 被真空系统抽走）

在Ar+离子束与XeF2的共同作用下硅的蚀刻速率明显比单独使用Ar+离子束或XeF2气体的蚀刻速率要快

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