流道材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，流道材料刻蚀厂家，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

反应离子蚀刻

反应离子蚀刻（以下简称RIE）使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料，它是能产生定向蚀刻的基本工艺

高度各向异性的蚀刻工艺能够通过RIE中伴随等离子化学反应蚀刻同时发生的带能离子轰击获得

RIE工艺之所以能够获得高度各向异性的蚀刻是因为朝向衬底轰击的离子受到了负偏置衬底的加速作用，同时衬底表面发生着高蚀刻速率的化学反应.

离子轰击的协同效应增加了化学反应的速率（帮助反应物获得能量离开衬底表面 被真空系统抽走）

在Ar+离子束与XeF2的共同作用下硅的蚀刻速率明显比单独使用Ar+离子束或XeF2气体的蚀刻速率要快

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二氧化硅腐蚀后检查：

1、窗口内无残留SiO2（去胶重新光刻）；

2、窗口内无氧化物小岛（去胶重新光刻）；

3、窗口边缘无过腐蚀（去胶重新光刻）；

4、窗口内无染色现象（报废）；

5、氧化膜无腐蚀（去胶重新光刻）；

6、氧化膜无划伤等（去胶重新光刻）。

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在半导体制造中，蚀刻使用各种技术选择习惯地在衬底上移除薄膜，并且通过这一移除的过程在衬底表面形成了材料的图形，

光罩定义了图形的形状，这一图形定义过程称为显影，

一旦光罩的图案被定义，没有被定义的部分即被蚀刻，这一过程我们称为湿法或者干法蚀刻

历，湿法蚀刻在图形定义中扮演了重要的角色，直到VLSI和ULSI时代，流道材料刻蚀代工，

随着关键尺寸变小&表面形貌变得更为重要，湿法蚀刻被干法蚀刻所替代，

这一替代主要是因为湿法蚀刻是各向同性蚀刻，黑龙江流道材料刻蚀，

湿法蚀刻从各个方向移除材料，因此导致了在衬底上的材料图形与掩膜图形不一致

相比LSI时代，VLSI与ULSI时代需要更精细的光罩来定义图形的关键尺寸，

此外，在***器件中需要高深宽比的图形，这需要各向异性蚀刻

在***工艺中，湿蚀刻的底部过蚀刻是不可接受的，

这一问题导致湿法蚀刻更多地用于清洗工艺而不是蚀刻工艺，

只有器件需要较大的关键尺寸时（例如MEMS）才会使用湿法蚀刻，

各向异性蚀刻使用一系列被称为干法蚀刻的技术，这些技术是VLSI和ULSI时代选择

干法蚀刻可以通过离子轰击物理性地移除衬底表面的材料

或者通过化学反应将衬底材料转换为不稳定的产物通过气泵抽走

干法蚀刻包含以下蚀刻方式（整个蚀刻过程中贯穿着化学蚀刻，物理蚀刻，或下述蚀刻方式的混合）

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