亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响

采用亲疏水两种不同的处理方法，在氮气保护、600℃热处理1h条件下，成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合，两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发，研究了两种处理方法对于界面透光性的影响，对键合样品进行了可见光透射谱测试，实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率，并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试，亲水处理，实验结果与透射谱测试结果一致.

当硅片经清洗液处理后表面不沾水分子时称为疏水处理，反之表面吸附水膜时为亲水处理。纯净的硅片表面是疏水性的。从能量观点看，疏水性表面属低能表面，这时硅片表面张力r（SG）小于水分子表面张力r（SL）。亲水性表面则属高能表面，基片亲水处理，这时的硅表面张力r（SG）大于水分子表面张力r（SL）。由此可知，玻璃表面亲水处理，硅表面成为亲水性的基本条件为A=r（SG）- r（SL）＞0

疏水是指各种蒸汽营道和用汽设备表接触角(A大于九十度的蒸汽凝结而的水，而由于水是极性分子，pet 亲水处理，而且能够形成屋，而经则多是范停华相互作用，偶极相互作用和氢键的销星比范德华力大的多，这使得水与经接触时倾向于自己与自己复装，而如果的与水接的更多会威少水和水之间的接貌，带来能星的上升、终基和水类似，与水接的时也能成复键以及慢极相回作用，能量和水之间接触差别不大。而疏水作用是决定生物分子的结构和性质的重要因素，特别是在蛋白质的折叠，分子与受体的相互作用中扮演着重要的角色。

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