晶体谐振器与晶体振荡器的区别

1，仪器仪表振荡器价格，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。

3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），仪器仪表振荡器加工，压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。

4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较高精度可达到0.5ppm，晶体谐振器较高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较高精度仅仅只有10PPM。

5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。

其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，电路将无法正常起振。

温补晶振介绍

温补晶振输出方式分：削峰正弦波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），CMOS 方波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃），仪器仪表振荡器，LVDS 差分方波输出（+/-1ppm@-40℃--+85℃）（0.8p 低抖动）。另外温补晶振 32.768KHz 低功耗可达（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。

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晶体振荡器的主要参数

（1）频率准确度；（2）温度稳定度；（3）频率调节范围;（4）调频（压控）特性；（5）负载特性；（6）电压特性；（7）杂波；（8）谐波；（9）频率老化；（10）日波动；（11）开机特性；（12）相位噪声。我司可提供高温电子解决方案，常年备有大量高温晶振的现货，可以从性能参数，成本等各方面为您的设计保驾护航，有的技术人员协助您设计，欢迎您前来咨询！

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