四氟化碳贮存注意事项：气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。气瓶内的气体不能全部用尽，应该留不小于0.04MPa剩余压力。四氟化碳对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体，被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。除此之外，四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。

对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，长沙四氟化碳，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，四氟化碳生产，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四氟化碳的热稳定性更好。

在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，四氟化碳公司，用硅胶除去气体中的水分，后经精馏而得成品。四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，高浓度四氟化碳，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。

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