真空电镀反应溅射：

1.在溅射镀膜时，有意识地将某种反应性气体如氮气，氧气等引入溅射室并达到一定分压，即可以改变或者控制沉积特性，从而获得不同于靶材的新物质薄膜，2.如各种金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质等薄膜。

3.直流反应溅射存在靶z毒，阳极消失问题，上个世纪80年代出现的直流脉冲或中频孪生溅射，使反应溅射可以大规模的工业应用。

4.反应磁控溅射所用的靶材料（单位素靶或多元素靶）和反应气体（氧、氮、碳氢化合物等）通常很容易获得很高的纯度，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。

5.反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。

6.反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热，因而对基板材料的限制较少。

7.反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜，并能实现对镀膜的大规模工业化生产。

真空镀膜加工表面的清洁处理非常重要，直接影响到电镀的产品品质。加工件进入镀膜室前一定要做到认真的镀前清洁处理，表面污染来自工件在加工、传输、包装过程所粘附的各种粉尘、润滑油、 机油、抛光膏、油脂、汗渍等物，PVD电镀工厂，为了避免加工过程中造成的不良，真空镀加工厂家基本上可采用去油或化学清冼方法将其去掉。

PVD真空镀膜对人的危害是很小的。

1、电磁辐射很小。

2、真空泵排气可以要直接到室外。

3、镀膜结束后，打开真空室时，可能会有灰尘，PVD电镀加工厂，注意别吸到呼吸道中。

4、不要长时间观察等离子体束，可能对人眼睛有伤害。

5、如果需要加热，注意别烫到。

6、注意工艺气体不能泄露。

总体来说，真空溅镀这种镀膜方式危害很小。

工艺关键词:电离惰性气体轰击靶材、靶材脱落沉积冷却成膜

溅镀的原理，是镀膜机腔体抽真空，直接以薄膜材料(靶材)当做电极，利用电极间见通电5KV~15KV产生的电浆轰击靶材，同时通入气体，气体发生离子化，粒子在电浆内移动，离子撞击靶材并使靶材表面原子脱离进而沉积在基板上，冷却浓缩成薄膜。

磁控溅镀

在直流溅镀或射频溅镀的基础上改进电极结构，亦即再把阴极内侧装置一磁铁，并使磁场方向垂直于极暗区电场方向，以便用磁场约束带电粒子的运转，这种溅射法称为磁控溅射。

由于磁场的作用力与电子的运转方向垂直，将形成电子回旋运动的向心力，此时中性物种间的撞击机率提高，始之在较低的压力下即能制作薄膜。

除了低压外，磁控溅射的另两项有优点就是高速，低温，因此也称之为高速低温溅镀法。

但是磁控溅镀也存在一些问题，如就平板磁控电极磁控电极而言，靶材中央及周边不为垂直于电厂的磁场分量越来越小，亦即与靶材表面平行的磁场分量小，使得在靶材表面的一个环形区域被溅射的异常快，而中央和边缘处溅射的少，台州PVD电镀，如此下去便会出现W形侵蚀谷，使的靶材利用率降低，并且可能对薄膜的均匀性产生影响。

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