晶振的负载电容

晶振有一个重要的参数，差分输出晶振生产厂家，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。

一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，差分输出晶振报价，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。

一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。负载电容+等效输入电容=22pF。

晶体振荡器的特性

温度特性:指在其他条件不变的情况下，差分输出晶振，温度对其频率稳定度的影响

电压特性:指在其他条件不变的情况下，电压的变化(小幅度纹波)对其频率稳定度的影响

压控电压:有些晶振会有一个VC脚位，通过外加电压调节输出频率，一般牵引范围在PPM级别

杂散:指相噪曲线上的一些毛刺，源于放大器或者混频器的噪音

短期稳定性:理想的振荡器的输出电压为正弦曲线。实际的振荡器输出电压由于噪声的影响是偏移的正弦曲线的

选择振荡器时需要考虑哪些因素

选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，差分输出晶振原厂，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。

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