微光显微镜光发射显微镜是器件分析过程中针对漏电失效模式，的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺陷，激光开封机，或者期间经过外界静穿，均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下，内部形成流动电流，漏电位置的电子会发生迁移，激光开封机价格，形成电能向光能的转化，即电能以光能的方式释放，激光开封机设备，从而形成200nm~1700nm红外线。光发射显微镜主要利用红外线侦测器，通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线，从而的定位到器件的漏电点。




微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electr;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。




对于故障分析而言，微光显微镜(Emission Microscope， EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明：在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N然後与P端的空穴（或N端的电子）做 EHP Recombination。




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