1温度对微弧氧化的影响

微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10-90度。温度越高，成膜越快，微弧氧化电源，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20-60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。

2.时间对微弧氧化的影响

微弧氧化时间一般控制在10~60min。氧化时间越长，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。

3.阴极材料

阴极材料可选用不锈钢，微弧氧化电源效率，碳钢，镍等，可将上述材料悬挂使用或做成阴极槽体。

4.后处理对微弧氧化的影响

微弧氧化过后，工件可不经过任何处理直接使用，销售微弧氧化电源，也可进行封闭，电泳，抛光等后续处理。折叠

微弧氧化工艺

微弧氧化工艺技术是直接在有色金属表面原位生成陶瓷层的新技术。微弧氧化工艺技术工艺简单，对环境污染小，具备很大的性，实验室用微弧氧化电源，它制备的膜层特点鲜明，膜层与基体金属属于冶金结合，结合牢固，在制备涂层方面具有明显优势，微弧氧化技术已被广泛应用于Al、Ti 和Mg等金属行业，是一种很有前景的表面处理工艺。

相比MoO3，加入钼质量浓度相同的Na2MoO4所得膜层耐蚀性更佳，在添加0.42g/L Na2MoO4时制得膜层其腐蚀电流密度比无添加剂时的低约7倍，比基体的低约1个数量级。故加入Na2MoO4的价比更高。

此外，这2种添加剂的加入，均可在AZ91D镁合金表面制得浅棕色的膜层，起显色作用的物质是MoO2。

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