锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用TCAD混合模拟的方法，针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

1. 中心频率指频率调节范围的中间值，CMOS输出可达到245.0MHz，七专级电压调振荡器生产厂家，LVDS可达到2.1GHz， HCSL可达到700MHz。

2. 输出方式根据需要采用不同的输出。CMOS， LVDS， HCSL， True Sine都有不同的波形特征以及用途。

3. 工作电压可根据具体型号选择1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的应用较为广泛。

4. 压控范围通过调节控制电压改变输出频率。单位为ppm，范围一般为±50~200ppm。

5. 频率稳定度在工作温度范围内，对标称频率允许的偏差，电压调振荡器生产厂家，单位一般为百万分之一即ppm。

6. 工作温度工业级标准-40~85℃。特殊应用会对温度有更高的要求。

压控振荡器的组成与发展

压控振荡器Voltage Controlled Oscillator(简称VCO)是射频电路的重要组成部分，在通信、电子、航天、航空及医学等诸多领域的用途十分广泛，七专级电压调振荡器生产厂家，尤其在通信系统电路中更是与功放具有同等重要地位的关键部件。

伴随采用新体制、新技术、新材料和新工艺的现代通信、雷达、电子干扰和电子侦察等电子信息系统的发展，对电子设备及其关键部件VCO的要求也越来越高，而VCO在端接不同负载阻抗下会出现频率偏移现象，由此导致电子设备工作不稳定甚至出现失效，产生严重影响，因此解决VCO的非线性特性(如频率牵引)测试问题并由此实现匹配显得日益重要和紧迫。

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