使用过程产品: AquaVantage 815 GD浓度: 10%温度: 131-140°F (55°C)设备: 2 套单独的清洗流程， 200L 超声波设备， 4000L 浸没设备。冲洗: 3 个阶段: 自来水， 去离子水以及终的去离子水. 所有的冲洗需要在接近 22 – 25°C的环境进行.通过一个闭环去离子水系统(水通过去离子水床的连续循环)，盐城太阳能光伏硅片清洗设备，终的冲洗被控制在至少4兆欧姆的电阻率。结论: 具有持续良好的清洁能力 。BHC 的优势: 的排气性能和清洗部件能力。使用BRULIN815GD清洗的半导体设备零部件，为更好地去除水分和挥发极低的有机物，要需零部件进行后处理：在惰性气体、真空度为0.13Pa、设定温度为500K（227°）的烘烤箱进行烘烤，进行装配。

在湿法清洗工艺路线下，目前主流的清洗设备主要包括单片清洗设备、槽式清洗设备、组合式清洗设备和批式旋转喷淋清洗设备等，太阳能光伏硅片清洗设备报价，其中单片清洗设备市场份额占比高。湿法清洗工艺路线下主流的清洗设备存在程度的区分，主要体现在可清洗颗粒大小、金属污染、腐蚀均一性以及干燥技术等标准。目前至纯科技主要生产湿法清洗设备，提供槽式设备（槽数量按需配置）及单片机设备（8-12 反应腔），太阳能光伏硅片清洗设备选择，均可以覆盖 8-12 寸晶圆制造的湿法工艺设备。

干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。

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