压电效应

　　某些单晶材料的结构具有非对称特性，当这些材料受到外加应力作用而产生应变时，其内部晶格结构的变化（形变）会破坏原来宏观表现为电中性的状态，产生极化电场（电极化），所产生的电场（电极化强度）与应变的大小成正比。这种现象称为正压电效应，它是由居里兄弟于1880年发现的。随后，在1881年又进一步发现这类单晶材料还具有逆压电效应，即具有正压电效应的材料在受到外加电场作用时，会有应力和应变产生，其应变与外电场的大小成正比。

　　压电效应是晶体结构的一个特性，它与晶体结构的非对称性有关，批量定制压电陶瓷，而压电效应的大小及性质则与施加的应力或电场对晶体结晶轴的相对方向有关。

　　具有压电效应的单晶材料种类很多，常用的如天然石英（SiO2）晶体，以及人工单晶材料如硫酸锂（Li2SO4）、铌酸锂（LiNbO3）等等。

　　电致伸缩效应

　　某些多晶材料中存在有自发形成的分子集团，即所谓“电畴”，它具有一定的极化，并且沿极化方向的长度往往与其他方向的长度不同。当有外加电场作用时，电畴会发生转动，使其极化方向与外加电场方向趋于一致，从而使该材料沿外加电场方向的长度将发生变化，表现为弹性应变。这种现象称为电致伸缩效应。

　　电致伸缩效应也有逆效应，即具有电致伸缩效应的多晶材料在经受外加应力产生应变时，其总的极化强度将会发生变化，即表现为电极化（产生电场）。

　　因此，电致伸缩效应可以说与电极化现象有关（自极化）。

半导体压电阻抗扩散压力传感器是在薄片表面形成半导体变形压力，通过外力（压力）使薄片变形而产生压电阻抗效果，从而使阻抗的变化转换成电信号。静电容量型静电容量型压力传感器，是将玻璃的固定极和硅的可动极相对而形成电容，将通过外力（压力）使可动极变形所产生的静电容量的变化转换成电气信号。 （E8Y的动作原理便是静电容量方式，压电陶瓷生产工厂，其他机种采用半导体方式）。

压力传感器的种类繁多，其性能也有较大的差异，海淀区压电陶瓷，如何选择较为适用的传感器，做到经济、合理的使用。1. 额定压力范围额定压力范围是满足标准规定值的压力范围。传感器输出符合规定工作特性的压力范围。在实际应用时传感器所测压力在该范围之内。2. 大压力范围是指传感器能长时间承受的大压力，山东压电陶瓷，且不引起输出特性性改变。特别是半导体压力传感器，为提高线性和温度特性，一般都大幅度减小额定压力范围。因此，即使在额定压力以上连续使用也不会被损坏。一般大压力是额定压力高值的2－3倍。3. 损坏压力损坏压力是指能够加在传感器上且不使传感器元件或传感器外壳损坏的大压力。4. 线性度线性度是指在工作压力范围内，传感器输出与压力之间直线关系的偏离。5.压力迟滞为在室温下及工作压力范围内，从小工作压力和大工作压力趋近某一压力时，传感器输出之差。6.温度范围压力传感器的温度范围分为补偿温度范围和工作温度范围。补偿温度范围是由于施加了温度补偿，精度进入额定范围内的温度范围。工作温度范围是保证压力传感器能正常工作的温度范围。


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