晶振指标
静电容:等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容,通常用C0表示。
工作温度范围:能够保证振荡器输出频率及其化各种特性符合指标的温度范围。
频率温度稳定度:在标称电源和负载下,晶体振荡器,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度允许频偏。
负载电容:与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容,用CL表示。
晶振
负载电容的选择:晶体工作在基频时,其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振,在使用负载电容的地方,其负载电容值应从下列标准值中选择:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激励电平的影响:一般来讲,AT切晶体激励电平的增大,其频率变化是正的。激励电平过高会引起非线性效应,导致可能出现寄生振荡;严重热频漂;过应力频漂及电阻突变。当激励电平过低时则会造成起振阻力不易克服、工作不良及指标的不稳定。
滤波电路中的应用:应用于滤波电路中时,除通常的规定外,150度高温晶体振荡器参数,更应注意其等效电路元件的数值和误差以及寄生响应的位置和幅度,150度原装晶体振荡器参数,由于滤波晶体设计的特殊性,所以用户选购时应特别说明。
晶振
晶体电阻:对于同一频率,175度测井晶体振荡器参数,当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。
工作温度范围与温度频差:在提出温度频差时,应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高,同时空间和功率都允许的情况下,应考虑恒温工作,恒温晶体振荡器就是为此而设计的。
负载电容与频率牵引:在许多应用中,都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求,这在锁相环回路及调频应用中非常必要,大多数情况下,这个负载电抗呈容性,当该电容值为CL时,则相对负载谐振频率偏移量为:DL=C1/[2(C0+CL)]。
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