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LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件:CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,丹东1260液相,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,1260液相供应商,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .

①高压:流动相为液体,流经色谱柱时,受到的阻力较大,为了能迅速通过色谱柱,必须对载液加高压。②高速:分析速度快、载液流速快,1260液相报价,较经典液体色谱法速度快得多,通常分析一个样品在15~30分钟,有些样品甚至在5分钟内即可完成,一般小于1小时。③:分离效能高。可选择固定相和流动相以达到分离效果,比工业精馏塔和气相色谱的分离效能高出许多倍。
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