电离室的数目

脉冲的变化率取决于漂移速度。电子的漂移速度约比正离子大三个量级，这就决定了在t≤x0/v-时间内，脉冲前沿主要是电子脉冲的贡献。它构成脉冲的快成份，矩阵电离室，幅度与电离产生的地点有关。在x0/v-≤t -≤(d-x0)/v+时间内，主要是离子脉冲的贡献，这是脉冲的慢成分。但是输出的电压幅度只决定于原电离的总数目，与电离产生的地点无关。

电离室输出回路分析

当电路时间常数RC 在x0/v-量级时，矩阵电离室报价，电路放电速度相对快，由于电子脉冲速度很快，所以此时输出电压上升沿由电子脉冲贡献，当电子脉冲结束后，离子脉冲的充电速度相对RC放电慢，所以之后电容C一直在净放电，矩阵电离室哪家好，因此输出的电压脉冲一直减小，直到C上的电荷放完，因此下降沿主要由RC时间常数决定。电子和离子均给C充电直到全部被收集，因此输出电压幅度慢慢变大，直到保持到较大值附近。

电离室离子复合

在脉冲式辐射场中，Ks的推导建议使用双电压法。这里需要假定剂量仪读数（M）和所使用的偏压（V）之间存在线性关系。M1和M2分别是偏压为V1和V2的剂量仪读数。其中，矩阵电离室厂家，V1是常用偏压，V2小于V1，一般V1/v2≥3。此时，常压V1时的复合效应表达式为：

Ks=a0+a1（M1/M2）+a2（M1/M2）2注意：因为Ks与剂量率相关，故测定时，应使用剂量率。

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