175度高温Flash存储器厂-Flash存储器-合肥
150度原装存储器

合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,200度高温Flash存储器厂,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,Flash存储器,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。



一般地EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限的时候,该单元就无法再使用了。但在实际应用中,可能有些数据要反复改写。这时,可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。


150度测井存储器
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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗,因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式,则可以降低能耗。但是,EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗,因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显,通过功率门控的快速写入,非易失性存储器可以实现低的能耗。


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RAM随机存取存储器(Random Access Memory)

CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类:

SRAM静态RAM(Static RAM)

静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。




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