合肥启尔特(图)-200度高温读写存储器参数-读写存储器
高温175度存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,175度读写存储器参数,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。
175度测井存储器
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动态随机存储器(DRAM)
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。
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Flash 储存器的标准物理结构,称之为基本位(cell);一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash 储存器的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的完整性。
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随着技术的不断进步,EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦除可编程只读存储器)来了,解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM: 早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1,现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性,读写存储器,但是电路更复杂,其成本也更高,因此EEPROM的容量都很小,从几KB到几百KB不等。(有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因,RAM的容量也不大)。 如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了,算是已经发展到很厉害的水平了。
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