150度芯片存储器
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闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM突破了传统的存储器体系，改善了存储器产品的特性。

Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的内部信息可读不可写，类似于ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，又类似于RAM。

175度存储器
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RAM随机存取存储器（Random Access Memory）

CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，RAM又分为两类：

SRAM静态RAM（Static RAM）

静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器（Cache memory）用它组成。

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光擦可编程只读存储器（EPROM）

光擦可编程只读存储器（EPROM）的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时，其存储内容为全「1」，用户可根据需要将部分内容改写为「0」，需要修改存储内容时，可将原存储内容擦除（恢复为全「1」），以便写入新的内容。

EPROM一般是将芯片用紫外线照射15～20分钟左右，以擦除其中的内容，然后用的EPROM写入器将信息重新写入，一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前，EPROM常用于软件开发过程中。

200度进口读写存储器参数-读写存储器-启尔特(查看)由合肥启尔特石油科技有限公司提供。合肥启尔特石油科技有限公司是安徽 合肥 ,电容器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在合肥启尔特领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创合肥启尔特更加美好的未来。