使用过程产品: AquaVantage 815 GD浓度: 10%温度: 131-140°F (55°C)设备: 2 套单独的清洗流程， 200L 超声波设备，半导体氧化设备供应商， 4000L 浸没设备。冲洗: 3 个阶段: 自来水， 去离子水以及终的去离子水. 所有的冲洗需要在接近 22 – 25°C的环境进行.通过一个闭环去离子水系统(水通过去离子水床的连续循环)，终的冲洗被控制在至少4兆欧姆的电阻率。结论: 具有持续良好的清洁能力 。BHC 的优势: 的排气性能和清洗部件能力。使用BRULIN815GD清洗的半导体设备零部件，为更好地去除水分和挥发极低的有机物，要需零部件进行后处理：在惰性气体、真空度为0.13Pa、设定温度为500K（227°）的烘烤箱进行烘烤，进行装配。

一种半导体氧化设备，泰州半导体氧化设备，其配有:由室壁界定的可密封氧化室;设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座;用于向所述氧化室供应对所述

半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分;监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处;监测部分，半导体设备，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品;以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。

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