干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，但可清洗污染物比较单一，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。

在自主动钢网清洗机的试运转期间，无重要部件的损坏（人为缘由除外）部件包含：电磁阀，电机，半导体氧化设备供应商，表面，过滤芯等普通来说验收的大致流程就如上所述，这里把判别的办法描绘出来，供各位参考。操作区上的表面和数字分明，无伤痕。接纳到的设备，能够满足速度、质量等合同请求（十分规缘由除外）。机器设备能正常运转，运转安稳牢靠，无异常响动，能病持续性运转一星期全主动钢网清洗机能持续病工作，半导体设备，机器设备整体性美观大方，半导体氧化设备，规划合理，机器设备各部件无漏液等现象。

随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。

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