温补振荡器适用范围

温度补偿晶体振荡器低温范围的实现方法及装置，所述方法包括采用温度传感器检测所述温度补偿晶体振荡器的温度并根据所述温度调节发热件发热实现扩展所述温度补偿晶体振荡器工作的低温范围，同时实施保温措施.本发明通过使用温度传感器采集温度根据温度调节发热件局部加热实现对温度补偿晶体振荡器的工作环境温度扩展，并采取保温措施，在﹣55℃~40℃环境温度下，使温度补偿晶体振荡器的局部温度仍然能保持40℃以上，克服了普通温度补偿晶体振荡器低于40℃时性能指标急剧恶化的缺点，保证了﹣55℃~40℃环境温度下温度补偿晶体振荡器的性能指标，同时具有功耗低，温补晶振，体积小，温补晶振生产厂家，成本低，稳定性好等特点.

晶体振荡器频率控制方法

振荡器可通过直接牵引频率或使用高分辨率锁相环调整频率来实现频率控制。直接牵引频率的 VCXO用调整变容二极管电压来改变谐振电路电容，而直接牵引频率的DCXO通过可编程开关切换不同的谐振电容。使用石英晶体谐振器的VCXO直接牵引频 率调整可以保持低相位噪声，但牵引范围被限制在约±200ppm。当系统应用需要更宽的频率牵引范围和与晶体振荡器相近的低噪声特性时，用户更倾向于选择 基于锁相环的MEMS控制振荡器架构，因为它们可以提供高达±1600ppm的牵引范围。

温补振荡器包括哪些

温度补偿型晶体振荡器，包括:一温度传感器(11);一模拟型温度补偿器(12);一数字型温度补偿器(13);一加法器电路(14);以及一电压控制的晶体振荡电路(3).模拟型温度补偿器(12)和数字型温度补偿器(13)分别响应于它们相应于温度传感器(11)检测的温度的输入电压产生温度补偿电压.所述两个温度补偿电压通过加法器电路(14)组合.组合后的电压被施加给电压控制的晶体振荡电路(3)的电压控制端，借以利用晶体谐振器(4)的温度补偿稳定电压控制的晶体振荡电路(3)的振荡频率.

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